Pó policristalino de carburo de silício de qualidade semicondutora 99,9999% 6n Sic
O pó policristalino de carburo de silício (SiC) de grau semicondutor com pureza de 99,9999% (6N) é um material crítico na produção de dispositivos semicondutores avançados e eletrônicos de alta potência.Este SiC policristalino de ultra-alta pureza foi projetado especificamente para aplicações que exigem condutividade térmica excepcionalA sua pureza de 6N garante impurezas mínimas, o que é essencial para manter a integridade dos componentes semicondutores em condições extremas.
A forma policristalina do SiC permite estruturas de material robustas, tornando-o ideal para uso em substratos, camadas epitaxiais e componentes sinterizados.Este grau de SiC é amplamente utilizado no fabrico de diodos Schottky, MOSFETs e outros dispositivos de energia que operam em altas tensões e temperaturas. Sua capacidade de suportar ambientes adversos sem degradar torna-o uma escolha preferida para veículos elétricos,Sistemas de energia renovável, e tecnologias aeroespaciais.
O pó policristalino também é usado em processos de deposição química de vapor (CVD) para cultivar cristais de SiC de alta qualidade, permitindo a produção de dispositivos semicondutores de próxima geração.Com a sua condutividade térmica superior e resistência ao choque térmico, o 6N SiC melhora o desempenho e a longevidade dos componentes eletrónicos.A sua crescente procura na indústria de semicondutores sublinha a sua importância para impulsionar a inovação na electrónica de potência e mais além.Para os fabricantes que procuram materiais confiáveis e de alta pureza para aplicações avançadas de semicondutores, o pó policristalino de 99,9999% de SiC é a escolha ideal.
Especificações
| Variedade de tamanhos de grãos |
Composição química (%) em peso |
| SIC% |
F.C% |
Fe2O3% |
Densidade ((g/cm3) |
| SIC98% |
≥ 98.5 |
≤ 0.2 |
≥ 3.4 |
| SIC97% |
≥ 97.5 |
≤ 0.3 |
≥ 3.3 |
| SIC90% |
≥ 90 |
≤ 2.5 |
≥ 3.15 |
| SIC88% |
≥ 88 |
≤ 3.0 |
≥ 3.15 |
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